功率器件相关论文
氮化镓（GaN）具有高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度,并且Al GaN/GaN异质结能形成高迁移率高密度的二维电子气（2DEG）,故在高频、高效......
学位
故障诊断技术对电机驱动系统的安全稳定与高效运行至关重要，是近年来电机驱动领域的研究热点之一。本文旨在对电机驱动系统故障诊断......
功率器件是现代电力电子技术的核心，分析和解决功率器件热可靠性问题是提高功率器件可靠性的重要课题。文中围绕功率器件在高温和温......
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件，介绍了SiC,GaN,Ga2O3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果：SiC材料对重离子辐照不......
介绍了一种应用于高速动车组充电机的VIENNA整流器,全部采用碳化硅（SiC）功率器件。与传统的硅（Si）不控整流器相比,基于SiC的VIENNA整流......
沟槽栅FS IGBT（Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor）凭借导通饱和压降低、沟道密度高、栅极易驱动、正向阻断电压高等优......
Ga N作为典型的宽禁带半导体材料，具有高耐温、高耐击穿电压以及高电子迁移速率的优势，封装技术对于充分发挥Ga N的以上优势并保障工......
粗铝丝键合具备过流大、键合灵活的优点，被广泛应用于VDMOS等大功率器件的封装。但功率器件工作时发热量大，粗铝丝/金层键合系统在长......
期刊
功率器件是宇航电源的重要组成部分，在整个航天技术快速发展的背景下，现有的宇航电源已无法满足小型化、轻量化、高效率和超大功率化......
作为功率半导体器件（简称功率器件）的新型热管理手段,主动热控制方法在近年来获得广泛关注。与传统热管理策略不同,主动热控制方法能......
随着5G时代的到来,以硅（Si）和砷化镓（Ga As）材料为代表的第一、二代半导体,已经无法满足当前大功率场景应用的需求,而以氮化镓（GaN）为首......
与传统VDMOS、沟槽MOS器件不同,功率器件屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET在沟槽中栅极的下方加入了多晶硅屏蔽栅极,并且与源极的电位相同,在垂......
4H碳化硅（4H-SiC）作为一种宽禁带半导体材料,因具有高热导率、高电子饱和速率、高临界电场等优秀的物理和电气特性,使得4H-SiC成为高......
3ω法作为一种表征固体薄膜、液体、气体等材料热导率的通用性技术，由于其测量成本低、采集速度快和样品制备工艺相对简单等独特的......
以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功......
21世纪以来,电力电子技术已得到了长久的发展,在电力系统、新能源、信息、远洋运输、太空探索等领域有着较为广泛的应用。然而,由......
学位
功率半导体作为半导体行业中稳定的一部分,其发展十分重要。而其中绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件,作为结合了功率金属氧化物半导体场......
传统的功率器件一直是用纵向的低掺杂漂移层作为耐压支持层,但近年来,一种称为“超结”的CoolMOS器件逐渐流行,这种“超结”结构很......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具有开态导通电流大、关态阻断电压高、开关速度快、能量损耗小等优点,被广泛应用于电能转换领域......
IGBT具有GTR和MOSFET各自的优势特点,具有MOSFET的输入阻抗高、其驱动电路简单、开关速度快、驱动功率小等特点。在直流电压为600V......
学位
功率循环测试被称为考核功率器件封装可靠性最重要的实验，尤其是SiC MOSFET功率器件的快速发展，是近几年的研究热点。与其他可靠性测......
碳化硅（SiC）器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝......
随着第三代半导体的发展,工业界对于功率器件的开关频率,电压和功率有更高的要求,这也意味着未来功率器件的封装需要承受更高的工......
碳化硅（SiC）作为代表性的第三代宽禁带半导体材料,以其优良的物理化学性质,在大功率、高温、抗辐照等国防和民用领域具有广泛的应用......
随着太阳能光伏发电、风力发电等新能源技术的发展和应用,对功率变换器功能和可靠性提出了更高的需求,例如传统的DC-DC变换器已经......
学位
氧化镓(β-Ga2O3)是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本.21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量......
作为新一代宽禁带半导体材料，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)已经展现出优良的电学、热学特性，基于SiC材料的功率器件具有耐高温、耐高......
在过去的60年中，硅(Silicon，Si)材料发展至今已十分成熟，其硅基半导体器件的性能也已达到材料本身的极限。碳化硅(Silicon Carbide，SiC......
功率器件是电力系统中的核心器件。电力系统功率等级的提高对功率器件的功率等级及可靠性等提出了更高要求。功率器件性能是由芯片......
在电能变换过程中电力电子系统起到至关重要的作用。电力电子系统中的核心元件是功率器件,功率器件的高可靠性是保证电力电子系统......
新型SiC半导体功率器件的开关速度快,对线路中的寄生参数敏感度高,在开关过程中会产生较大的电压和电流过冲,从而影响器件的开关性......
目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该......
金属封装形式的氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在经历筛选试验后,管壳表面的金属层出现了腐蚀形貌,通过显微镜观察、扫描电镜、......
期刊
本文面向变频器使用的用户、从事变频器应用和系统设计维护人员、销售人员、维修人员。文中介绍了变频器的原理、森兰变频器的基本......
宽禁带半导体材料GaN作为第三代半导体材料具有传统半导体材料所不具备的优异性能,在高频、高压、高温和大功率器件领域具有重要的......
半航空电磁法勘探仪器具有快速、灵活、高效等突出优点，并且能在山地、丘陵等复杂的地表环境执行地质勘探任务。尽管国外已有研制成......
随着电子技术迅速发展，涌现出各式各样的用电设备，其中存在着大量非线性不平衡负载。这对电网造成严重污染，导致大量用电设备无法正常......
国家科技部启动了电动汽车重大专项以来,我国在车用电机某些单项指标中已经接近或达到国际先进水平。但是在先进电力电子技术、电......
三电平逆变器作为多电平逆变器的一种,在高压大功率场合获得了较为广泛的应用。但是功率器件的增加,提高了系统的故障率,因此,如何......
机车变流器是机车进行电能形式转换的关键部件。铁路电力机车、电传动内燃机车依靠它来进行电能形式转换。机车变流器的正常运行,......
氮化镓材料以其宽禁带、高击穿、高电子迁移率和高电子气密度逐渐步入功率器件的舞台。这些优良的材料特性,使得氮化镓功率器件较......
氮化镓(GaN)因其具有的宽禁带、大临界电场、高电子迁移率以及良好的热导率等优良特性,满足了下一代电子装备对功率器件更大功率、......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,具有高频率、高电压......
随着工业社会和信息时代的高速发展,以半导体器件为基础的电子科学高速发展。其中,Si功率半导体器件以其独有的技术优势和产能优势......
功率半导体器件作为电力电子系统中的核心元器件,从20世界70年代发明以来,一直在现代生活中扮演着重要的角色。传统的消费类电子产......
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